Особые свойства инверсно включенного транзистора обеспечивают новые возможности каскаду, построенному на его основе. При подобном включении увеличивается стабильность коэффициента усиления, расширяется полоса пропускания и экономичность каскада, что делает эту схему привлекательной при использовании с высокоомной нагрузкой- это может быть вход ламповой схемы, тиратрон с холодным катодом и электростатическим управлением, высокоомный измерительный прибор и т. п. При этом коэффициент усиления полностью стабилизированного каскада с общим эмиттером и каскада с инверсным транзистором практически равны. Кроме того эта схема позволяет предельно уменьшать значения как U k0 и Ik0, так и Ек при усилении сигналов с малыми амплитудами, т. е. схема оказывается более экономичной при использовании области микрорежима. По этим причине использование усилителя на инверсном транзисторе может быть предпочтительным для экономичных усилителей с автономным питанием, усилителей сигналов на граничной для транзисторов частоте и для усиления сигналов малой амплитуды в приемной и измерительной технике.