PSMN1R0-30YLC 30-вольтовый MOSFET

Фирма NXP Semiconductors анонсировала первый MOSFET в NextPower диапазоне, выпустив 30-вольтовый Power-SO8MOSFET, располагающий низким значением сопротивления канала в открытом состоянии, составляющим 1.4 мОм при напряжении на затворе 4.5 В. Новый MOSFET, получивший обозначение PSMN1R0-30YLC, оптимизирован под 4.5-вольтовые импульсные применения и размещен в корпусе LFPAK – самом устойчивом, корпусе Power-SO8. Технология NextPower была специально оптимизирована под высокоэкономичные применения DC-DC преобразования, типа синхронных импульсных понижающих стабилизаторов, синхронных выпрямителей в изолирующих источниках питания и применениях Power OR-ing. Основные особенности: • Усовершенствованная NextPower технология, оптимизированная под малое значение сопротивление канала в открытом состоянии, необходимое для 4.5-вольтовых драйверов затворов • Высоко надежный корпус Power-SO8, сертифицированный на рабочую температуру до 175°C Применение нового MOSFET позволят сократить создавать новые энергоэффективные и не дорогие DC-DC преобразователи в цепях питания.