Конструкция транзистора Шоттки. Схемотехника

Транзистор Шоттки отличается от обычного транзистора тем, что в нем база соединена с коллектором с помощью диода Шоттки, который предотвращает работу транзистора в режиме насыщения. В результате этого исключается эффект накопления электронов в области базы и в конечном счете уменьшаются задержки, зависящие от эффекта накопления. Как мы знаем, диоды Шоттки имеют высокое быстродействие, в результате этого транзисторы Шоттки обладают хорошими коммутационными характеристиками. Конструктивно, транзистор Шоттки выполнен на основе эпитаксиально-планарной структуры. Особое распространение транзистор Шоттки получил в использовании его в ключевых схемах. В интегральном исполнении диод Шоттки представляет собой контакт металла с коллекторной областью транзистора и составляет единую структуру, называемую транзистором Шоттки. Когда транзистор закрыт или работает в активном режиме, потенциал коллектора выше потенциала базы, поэтому диод закрыт, и, не влияет на работу ключа. В режиме насыщения, т.е. когда транзистор полностью открыт, потенциал его коллектора оказывается ниже потенциала базы, что приводит к открыванию диода, на котором напряжение устанавливается ниже 0.5В, а именно меньше напряжения, открывающего переход база-коллектор. Транзистор, те самым, окажется на грани насыщения, потому-что диод зашунтирует часть тока базы, которая создала бы избыточный заряд.